Samsung anuncia UFS 5.0, memória duas vezes mais rápida para IA

Samsung anuncia UFS 5.0, memória duas vezes mais rápida para IA

Módulo de memória UFS 5.0 promete o dobro de velocidade na transferência de dados (imagem: reprodução)

Resumo

Samsung anunciou a Universal Flash Storage 5.0 (UFS 5), seu novo padrão de armazenamento para dispositivos móveis.
A novidade atinge velocidade de 10,8 GB/s e foi projetada para rodar serviços de inteligência artificial localmente nos dispositivos.
A produção em massa do UFS 5.0 começará no quarto trimestre de 2026, com previsão de unidades de até 1 terabyte de capacidade.

A Samsung anunciou nesta terça-feira (23/06) o Universal Flash Storage 5.0 (ou apenas UFS 5.0). Para quem não está familiarizado com a sigla, UFS é o padrão de memória flash adotado na indústria de smartphones e tablets, em que ficam guardados o sistema operacional, os aplicativos e arquivos.

A nova geração da tecnologia anunciada pela Samsung chega muito mais veloz. Ela é duas vezes mais rápida que a geração anterior e foi projetada especialmente para rodar serviços de inteligência artificial localmente nos dispositivos, permitindo que os processos ocorram sem conexão constante com servidores na nuvem.

O que o UFS 5.0 traz de novo?

A grande mudança é a capacidade de o dispositivo acessar informações na metade do tempo exigido pela geração anterior, o UFS 4.1. Quando o usuário acionar grandes modelos de linguagem (LLMs) localmente no aparelho, o chip responderá com uma latência muito menor.

Na prática, isso possibilita que assistentes de voz entendam comandos complexos com rapidez, editores de imagens apliquem filtros sem travamentos, o tempo de inicialização de aplicativos pesados caia e geradores de texto criem respostas quase em tempo real.

Em resumo, a nova memória deixa de operar apenas como uma “gaveta” que guarda fotos e vídeos para garantir que a computação de IA aconteça sem atrasos. Os números da ficha técnica ilustram a evolução:

O componente é capaz de sustentar velocidades de leitura sequencial de até 10,8 GB/s.

Do lado da gravação sequencial, as taxas variam entre 9,5 GB/s e 9,8 GB/s.

Esse rendimento supera em mais de duas vezes a velocidade da solução atual adotada pela indústria, o padrão UFS 4.1 (que entrega limites de 4,3 GB/s de leitura e 4,1 GB/s de gravação).

Mais eficiência energética e espaço livre

Novo chip de armazenamento é 16,7% menor que a geração anterior (imagem: reprodução)

Todo esse ganho de velocidade veio acompanhado por aprimoramentos no controle térmico e energético. O UFS 5.0 registra uma melhora de mais de 40% em eficiência de energia na comparação direta com a versão 4.1. Esse marco foi atingido graças à implementação de recursos que desligam trechos inativos do circuito. No dia a dia, isso significa que o smartphone gastará menos bateria para mover a mesma quantidade de arquivos.

Houve também um salto no design. O novo módulo mede apenas 7,5 mm x 13 mm x 0,9 mm — 16,7% menor que a geração passada. A redução facilita o trabalho de engenharia das fabricantes na hora de acomodar baterias maiores ou integrar componentes extras em produtos que sofrem com restrições severas de espaço no chassi, como os wearables.

Quando o UFS 5.0 chega ao mercado?

A gigante sul-coreana confirmou que a produção em massa das memórias UFS 5.0 começará no quarto trimestre de 2026, com previsão de unidades de até 1 terabyte (TB) de capacidade.

Com esse calendário, o componente tem um destino provável: a linha Galaxy S27. Segundo o leaker Ice Universe, o novo processador Exynos 2700 também oferecerá suporte nativo ao UFS 5.0.

Prevista para o início de 2027, a próxima linha premium da Samsung pode ser uma das pioneiras na adoção do novo padrão.
Samsung anuncia UFS 5.0, memória duas vezes mais rápida para IA

Samsung anuncia UFS 5.0, memória duas vezes mais rápida para IA
Fonte: Tecnoblog